[发明专利]基板载具及其硒化制程系统无效
| 申请号： | 201210121515.8 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103311164A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李适维;林清儒;锺青源;林明弘;黄伟民;邱振海 | 申请（专利权）人： | 绿阳光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基板载具用来运载多个背电极基板至一炉腔内，每一背电极基板上形成有一前趋物层，所述炉腔用来提供一制程气体以与所述前趋物层反应形成一光电转换层在每一背电极基板上，所述基板载具包括一耐热金属架体及一第一保护层。所述耐热金属架体具有多个承载槽，用来承载所述多个背电极基板。所述第一保护层形成在所述耐热金属架体上，用来防止所述耐热金属架体发生化学反应。透过基板载具具有耐热金属架体并在耐热金属架体上形成保护层的设计，所述基板载具可具有抗高温及抗特定气体反应腐蚀的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载具 及其 硒化制程 系统 | ||
【主权项】：
一种基板载具，用来运载多个背电极基板至一炉腔内，每一背电极基板上形成有一前趋物层，所述炉腔用来提供一制程气体以与所述前趋物层反应形成一光电转换层在每一背电极基板上，其特征在于，所述基板载具包括：一耐热金属架体，具有多个承载槽，所述多个承载槽用来承载所述多个背电极基板；及一第一保护层，形成在所述耐热金属架体上，用来防止所述耐热金属架体发生化学反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
