[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种高压发光二极管芯片的制备方法，包括步骤：S11、在衬底上生长出具有缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层的外延片；S12、在外延片上刻蚀出多个间隔排列的第一沟槽；S13、在每个第一沟槽的底壁上刻蚀出第二沟槽，相邻第二沟槽之间形成单个微晶；S14、在相邻微晶的负极和正极之间形成第一钝化层；S15、在p型氮化物层表面形成金属反射层；S16、在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，同时预形成芯片正负电极；S17、在除芯片正负电极之外的区域形成第二钝化层；S18、加厚预形成的芯片正负电极；S19、将芯片正负电极与金属化导热陶瓷基板上的正负极共晶层共晶键合。本发明能有效提高芯片的使用寿命和出光效率。

主权项

一种高压发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S11、在衬底上生长出具有缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层的外延片；S12、在外延片上刻蚀出多个间隔排列的第一沟槽，每个第一沟槽的深度刻蚀至n型氮化物层；S13、在每个第一沟槽的底壁上刻蚀出第二沟槽，第二沟槽的深度刻蚀至衬底且刻蚀宽度小于台阶的刻蚀宽度，在外延片上形成多个间隔排列的微晶；S14、在相邻微晶的负极和正极之间形成第一钝化层；S15、在p型氮化物层表面形成金属反射层；S16、在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，在外延片左端的金属反射层上形成正电极，以及在外延片右端的n型氮化物层上形成负电极；S17、在除芯片正负电极之外的区域形成第二钝化层；S18、在正电极和负电极上分别加厚正负电极；S19、提供金属化导热陶瓷基板，所述金属化导热陶瓷基板包括导热陶瓷基板，在导热陶瓷基板上形成的正极金属层区和负极金属层区，在所述正极金属层区上形成的正极共晶层，在所述负极金属层区上形成的负极共晶层；将所述正电极与正极共晶层共晶键合，所述负电极与负极共晶层共晶键合。