[发明专利]以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法有效
| 申请号： | 201210119604.9 | 申请日： | 2012-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102637786A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;陈丹;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法，包括：1)清洗基片；2)在基片上沉积ITO导电膜；3)对ITO导电膜光刻，形成n电极区域和ITO导电膜覆盖的p电极区域，所述的ITO导电膜覆盖的面积略大于p电极区域；4)在n电极区域和p电极区域上沉积ZnO基导电膜；5)对ZnO基导电膜光刻，去掉n电极区域的ZnO膜，在p电极区域上形成ITO/ZnO基复合膜；6)在n电极区域上刻蚀台阶；7)在n电极区域的台阶和ITO/ZnO基复合膜上依次沉积电极金属和钝化层，所述的钝化层覆盖在电极金属之上；8)刻蚀去除电极金属上的钝化层，制得以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极。本发明的方法工艺效果良好，产品可靠性高，制备过程简单，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | ito zno 复合 电极 led 制作方法 | ||
【主权项】：
以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法，其特征在于包括如下步骤：1) 清洗基片(1)；2) 在基片(1)上沉积ITO导电膜(2)；3) 对ITO导电膜(2)光刻，形成n电极区域(7)和ITO导电膜覆盖的p电极区域(6)，所述的 ITO导电膜覆盖的面积略大于p电极区域(6)；4) 在n电极区域(7)和p电极区域(6)上沉积ZnO基导电膜(3)；5) 对ZnO基导电膜(3)光刻，去掉n电极区域(7)的ZnO膜，在p电极区域(6)上形成ITO/ZnO基复合膜；6) 在n电极区域(7)上刻蚀台阶；7) 在n电极区域(7)的台阶和ITO/ZnO基复合膜上依次沉积电极金属(4)和钝化层(5)，所述的钝化层(5)覆盖在电极金属(4)之上；8) 刻蚀去除电极金属(4)上的钝化层(5)，制得以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极。
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