[发明专利]以ITO∕ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法有效
| 申请号： | 201210119604.9 | 申请日： | 2012-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102637786A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;陈丹;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito zno 复合 电极 led 制作方法 | ||
1.以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极制作方法，其特征在于包括如下步骤：
1) 清洗基片(1)；
2) 在基片(1)上沉积ITO导电膜(2)；
3) 对ITO导电膜(2)光刻，形成n电极区域(7)和ITO导电膜覆盖的p电极区域(6)，所述的 ITO导电膜覆盖的面积略大于p电极区域(6)；
4) 在n电极区域(7)和p电极区域(6)上沉积ZnO基导电膜(3)；
5) 对ZnO基导电膜(3)光刻，去掉n电极区域(7)的ZnO膜，在p电极区域(6)上形成ITO/ZnO基复合膜；
6) 在n电极区域(7)上刻蚀台阶；
7) 在n电极区域(7)的台阶和ITO/ZnO基复合膜上依次沉积电极金属(4)和钝化层(5)，所述的钝化层(5)覆盖在电极金属(4)之上；
8) 刻蚀去除电极金属(4)上的钝化层(5)，制得以ITO/ZnO基复合膜为p电极的LED电极。
2.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤1)中清洗基片的方法包括酸清洗、有机清洗或水清洗。
3.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤3)中的光刻腐蚀液为盐酸、硝酸或硫酸。
4.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤4)中沉积ZnO基导电膜(3)的方法为电子束蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积。
5.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤5)中的光刻腐蚀液为酸或碱溶液。
6.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤6)中刻蚀台阶的方法为电感耦合等离子体刻蚀或反应离子刻蚀。
7.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤7)中沉积电极金属(4)的方法为电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射。
8.根据权利要求1所述的LED电极的制作方法，其特征在于所述步骤7)中沉积钝化层(5)的方法为等离子增强化学气相沉积法。
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