[发明专利]一种掩模图形修正方法有效
| 申请号： | 201210119058.9 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103376644A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨志勇;白昂力 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种掩模图形修正方法，包括将期望得到的曝光图形定义为初始掩模图形M（ |
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| 搜索关键词： | 一种 图形 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模图形修正方法，其特征在于，包括以下步骤：将期望得到的曝光图形定义为初始掩模图形M（）,定义标准单元图形T（![]()
），将所述初始掩模图形转换为以所述标准单元图形表达的掩模图形信息,其中![]()
为二维坐标系中的坐标；标定所述标准单元图形通过光学成像系统的成像效果，建立光强映射表；根据所述掩模图形信息和所述光强映射表，计算获得成像方光强考察点的实际光强；根据所述实际光强与所述期望得到的曝光图形的期望光强的差值，计算获得掩模图形修正量，用于修正初始掩模图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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