[发明专利]形成半导体器件和形成半导体晶体管的方法及半导体器件

摘要

本发明提供了一种用于形成半导体器件和形成半导体晶体管的方法及半导体器件。用于形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底，半导体衬底具有主水平表面、相对面、和完全嵌入的介电区域。通过将介电区域用作阻蚀部而从主水平表面至半导体衬底中蚀刻深竖直槽。在所述半导体衬底中形成竖直晶体管结构。在主水平表面上形成与晶体管结构欧姆接触的第一金属化部。在相对面处将半导体衬底薄化得至少靠近介电区域。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有主水平表面、相对面、和介电区域，所述介电区域被布置在所述半导体衬底中并且与所述主水平表面和所述相对面隔开；蚀刻深竖直槽，所述深竖直槽从所述主水平表面进入所述半导体衬底并至少靠近所述介电区域的水平表面；形成竖直晶体管结构，包括在所述半导体衬底中形成第一掺杂区域；以与所述第一掺杂区域欧姆接触的方式在所述主水平表面上形成第一金属化部；以及处理所述相对面以将所述半导体衬底薄化得至少靠近所述介电区域。