[发明专利]一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法无效
申请号: | 201210109105.1 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102623572A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 赵学玲;范志东;孙小娟;李倩;王志国;吝占胜;冉祖辉 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法,包括以下步骤:在反应装置中充入氮气,将反应装置中的温度升至反应温度;在预反应压强下,以恒定流量向反应装置中充入氨气,在反应装置中发射预反应射频,使其保持一段时间;预反应压强不变、反应射频下,向反应装置中充入硅烷,使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置,持续沉积120-200s;预反应压强、反应射频均不变,再次向反应装置中充入硅烷,使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中,持续沉积500-700s。本方法使氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果均得到了提高,并最终实现了提高太阳能电池片的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 晶体 太阳能电池 沉积 反射 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法,用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜,其特征在于,包括以下步骤:1)在反应装置中充入氮气,并将反应装置中的温度升至反应温度;2)在预反应压强下,向所述反应装置中持续充入氨气,并在反应装置中持续发射预反应射频;3)所述预反应压强不变,发射反应射频的情况下,向反应装置中持续充入硅烷,使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中,并持续沉积120‑200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜;4)所述预反应压强和所述反应射频均不变的情况下,再次向反应装置中持续充入硅烷,使氨气与硅烷以流量比为8∶1‑10∶1的比例进入反应装置中,并持续沉积500‑599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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