[发明专利]一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201210109105.1 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN102623572A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 赵学玲;范志东;孙小娟;李倩;王志国;吝占胜;冉祖辉 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法,包括以下步骤:在反应装置中充入氮气,将反应装置中的温度升至反应温度;在预反应压强下,以恒定流量向反应装置中充入氨气,在反应装置中发射预反应射频,使其保持一段时间;预反应压强不变、反应射频下,向反应装置中充入硅烷,使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置,持续沉积120-200s;预反应压强、反应射频均不变,再次向反应装置中充入硅烷,使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中,持续沉积500-700s。本方法使氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果均得到了提高,并最终实现了提高太阳能电池片的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 制备 晶体 太阳能电池 沉积 反射 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法,用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜,其特征在于,包括以下步骤:1)在反应装置中充入氮气,并将反应装置中的温度升至反应温度;2)在预反应压强下,向所述反应装置中持续充入氨气,并在反应装置中持续发射预反应射频;3)所述预反应压强不变,发射反应射频的情况下,向反应装置中持续充入硅烷,使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中,并持续沉积120‑200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜;4)所述预反应压强和所述反应射频均不变的情况下,再次向反应装置中持续充入硅烷,使氨气与硅烷以流量比为8∶1‑10∶1的比例进入反应装置中,并持续沉积500‑599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。
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