[发明专利]一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，用于在太阳能电池片上制备氮化硅减反射薄膜，其特征在于，包括以下步骤：

1)在反应装置中充入氮气，并将反应装置中的温度升至反应温度；

2)在预反应压强下，向所述反应装置中持续充入氨气，并在反应装置中持续发射预反应射频；

3)所述预反应压强不变，发射反应射频的情况下，向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置中，并持续沉积120-200s以得到第一层氮化硅减反射薄膜；

4)所述预反应压强和所述反应射频均不变的情况下，再次向反应装置中持续充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，并持续沉积500-599s以得到第二层氮化硅减反射薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应装置为石英炉管。

3.根据权利要求2所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应温度为350-460℃。

4.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，步骤2)中所述氨气持续进入所述反应装置的流量为2-3L/s。

5.根据权利要求4所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应压强为1500-2000mtorr。

6.根据权利要求5所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应射频的功率为4500-5500W。

7.根据权利要求6所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述预反应射频持续发射的时间为200-300s。

8.根据权利要求1所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，所述反应射频的功率为5300-6300W。

9.根据权利要求8所述的制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，其特征在于，中所述第一流量比为3∶1-5∶1。