[发明专利]双垂直沟道晶体管有效
| 申请号： | 201210109073.5 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378147A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双垂直沟道晶体管，包括音叉型基底，其包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入凹槽的底部，其中凹槽位在音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在音叉型基底内并紧邻埋入式位线；第二源/漏极区，位在音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其中第二凹槽设置在尖叉部的至少一侧，且绝缘栅极结构的顶面高于埋入式位线的顶面；前栅极，位在音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在音叉型基底相对于第一侧面的第二侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：音叉型基底，包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入第一凹槽的底部，其特征在于第一凹槽位在所述音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在所述音叉型基底内，且紧邻所述埋入式位线；第二源/漏极区，位在所述音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一个绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其特征在于第二凹槽设置在所述尖叉部的至少一侧，且绝缘栅极结构的顶面高于埋入式位线的顶面；前栅极，位在所述音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在所述音叉型基底相对于所述第一侧面的第二侧面上。
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