[发明专利]非易失性存储器件及其驱动方法有效
| 申请号： | 201210102111.4 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102737717A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 金钟泳;崔明勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，向所述多个存储块当中的被选存储块传送多个驱动信号，其中，该传输晶体管阵列包括高电压晶体管，所述高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极，并且传送到所述公用漏极的所述多个驱动信号之一通过所述两个源极被传送到不同的存储块。
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