[发明专利]非易失性存储器件及其驱动方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多个存储块；以及

传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，向所述多个存储块当中的被选存储块传送多个驱动信号，

其中，该传输晶体管阵列包括高电压晶体管，所述高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极，并且传送到所述公用漏极的所述多个驱动信号之一通过所述两个源极被传送到不同的存储块。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个驱动信号包括串选择信号、地选择信号和提供给所述被选存储块的字线的字线电压中的至少一个。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述高电压晶体管包括：

在所述有源区上形成的第一栅极线；以及

在所述有源区上形成的第二栅极线，该第二栅极线平行于第一栅极线，并且与该第一栅极线电分离。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，还包括在与第一栅极线和第二栅极线交叉的方向上的、用于传送所述多个驱动信号之一的驱动信号线，其中，该驱动信号线在所述第一栅极线和第二栅极线之上形成。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述驱动信号线包括：

第一信号线，其传送第一驱动信号；以及

第二信号线，其传送与第一驱动信号电分离的第二驱动信号，

其中，所述第一信号线和第二信号线之一电连接到所述公用漏极。

6.如权利要求3所述的非易失性存储器件，还包括：

连接所述两个源极之一与第一存储块的第一互连；以及

连接所述两个源极中的另一个与第二存储块的第二互连。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述驱动信号线、所述第一互连和所述第二互连被形成为金属线。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括另一个传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将另外的驱动信号传送到被选存储块，

其中，另一个传输晶体管阵列包括另一个高电压晶体管，该另一个高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个漏极和一个源极。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，向与另一个传输晶体管阵列所选择的存储块邻近的存储块，提供来自另外的驱动信号线的驱动信号，所述另外的驱动信号线与连接到另一个传输晶体管阵列的驱动信号线电分离。

10.一种非易失性存储器件，包括：

第一存储块和第二存储块；以及

两个传输晶体管，其响应于块选择信号，选择性地向第一存储块和第二存储块中的一个传送字线电压，

其中，所述两个传输晶体管包括：

在一个有源区上相互平行地形成的第一栅极线和第二栅极线；

在第一栅极线和第二栅极线之间形成的、且被提供了字线电压的公用漏极；

第一源极，其响应于第一块选择信号，将在公用漏极中提供的字线电压输出到第一存储块；以及

第二源极，其响应于第二块选择信号，将在公用漏极中提供的字线电压输出到第二存储块。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述第一存储块和第二存储块不相互邻近。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，所述第一栅极线和第二栅极线相互电分离。

13.如权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括驱动信号线，用于向公用漏极传送所述字线电压，其中，该驱动信号线通过接触插塞连接到公用漏极。

14.如权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括分别在第一源极与第一存储块的字线之间和在第二源极与第二存储块的字线之间形成的金属互连。

15.如权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括共用第一栅极线和第二栅极线的另外的传输晶体管，所述另外的传输晶体管以与所述两个传输晶体管相同的方法形成。