[发明专利]悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法无效
| 申请号： | 201210101985.8 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102616732A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张挺;薛维佳 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构(悬空基底)的厚度通过掺杂深度精确控制，从而可降低对于腐蚀时间精确控制的依赖，即降低了工艺难度，提高了工艺精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 半导体 薄膜 结构 传感器 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种悬空半导体薄膜结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；对所述半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层；在所述半导体基底的正面及背面形成保护层；对所述半导体基底背面采用光刻进行图形化，并采用背面腐蚀工艺，得到悬空的半导体薄膜结构。
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