[发明专利]半导体集成电路的ESD保护电路有效
| 申请号： | 201210100331.3 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102738782A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 须藤稔 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够防止在电池被反接时大电流流过而破坏的CDM的ESD保护电路。本发明的ESD保护电路采用与CDM用的ESD保护电路的截止晶体管(11、13)串联地、以寄生二极管与上述截止晶体管的寄生二极管成为反向的方式插入晶体管器件的电路构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路的ESD保护电路，设置在至少具备正电源端子、负电源端子、输入端子和与所述输入端子连接的内部电路的半导体集成电路，所述ESD保护电路特征在于，具有：N沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述负电源端子；以及第一P沟道晶体管，其栅极连接到所述负电源端子，漏极连接到所述内部电路的栅极，源极和衬底连接到所述N沟道晶体管的漏极。
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