[发明专利]半导体集成电路的ESD保护电路有效
| 申请号： | 201210100331.3 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102738782A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 须藤稔 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 esd 保护 电路 | ||
1.一种半导体集成电路的ESD保护电路，设置在至少具备正电源端子、负电源端子、输入端子和与所述输入端子连接的内部电路的半导体集成电路，所述ESD保护电路特征在于，具有：
N沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述负电源端子；以及
第一P沟道晶体管，其栅极连接到所述负电源端子，漏极连接到所述内部电路的栅极，源极和衬底连接到所述N沟道晶体管的漏极。
2.如权利要求1所述的半导体集成电路的ESD保护电路，其特征在于，
所述N沟道晶体管和所述第一P沟道晶体管的幅宽为50μm以下。
3.一种半导体集成电路的ESD保护电路，设置在至少具备正电源端子、负电源端子、输入端子和与所述输入端子连接的内部电路的半导体集成电路，所述ESD保护电路特征在于，具有：
N沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述负电源端子；
第一P沟道晶体管，其栅极连接到所述负电源端子，漏极连接到所述内部电路的栅极，源极和衬底连接到所述N沟道晶体管的漏极；
第二P沟道晶体管，其栅极连接到所述正电源端子，漏极连接到所述内部电路的栅极；以及
第三P沟道晶体管，其栅极连接到所述内部电路的栅极，漏极连接到所述正电源端子，源极和衬底连接到所述第二P沟道晶体管的源极和衬底。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路的ESD保护电路，其特征在于，
所述N沟道晶体管和所述第一P沟道晶体管的幅宽为50μm以下。
5.一种半导体集成电路的ESD保护电路，设置在至少具备正电源端子、负电源端子、输入端子和与所述输入端子连接的内部电路的半导体集成电路，所述ESD保护电路特征在于，具有：
N沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述负电源端子；
第一P沟道晶体管，其栅极连接到所述负电源端子，漏极连接到所述内部电路的栅极，源极和衬底连接到所述N沟道晶体管的漏极；
第二P沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述正电源端子；以及
第三P沟道晶体管，其栅极、源极和衬底连接到所述内部电路的栅极，漏极连接到所述第二P沟道晶体管的漏极。
6.如权利要求5所述的半导体集成电路的ESD保护电路，其特征在于，
所述N沟道晶体管和所述第一P沟道晶体管的幅宽为50μm以下。
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