[发明专利]一种垂直结构的半导体发光器件制造方法有效
| 申请号： | 201210094996.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623589A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;陈文欣;杨建健;周一为;梁兆煊 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种垂直结构的半导体发光器件制作方法，其包含如下步骤：1)提供一具有正、反两个表面的透光衬底，在其正面上形成一图形化过渡层，构成图形化衬底；2）在所述图形化衬底上依次外延生长发光外延层，其自下而上至少包括：缓冲层、n型导电层、发光层、p型导电层；3）在所述发光外延层之上形成欧姆接触层、键合层；4）提供一导电基板，通过所述键合层将所述发光外延层与所述导电基板粘结；5）减薄所述透光衬底；6）在所述透光衬底背面上定义N电极区域，该N电极区域与所述图形化过渡层对应，采用激光蚀刻所述N电极区域的透光衬底至预设深度；7）采用干法或湿法蚀刻，依次蚀刻所述N电极区域的剩余透光衬底、过渡层、缓冲层，直至露出n型导电层；8）在露出的n型导电层上制作n电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构的半导体发光器件制作方法，其包含如下步骤：1)提供一具有正、反两个表面的透光衬底，在其正面上形成一图形化过渡层，构成图形化衬底；2）在所述图形化衬底上依次外延生长发光外延层，其自下而上至少包括：缓冲层、n型导电层、发光层、p型导电层；3）在所述发光外延层之上形成欧姆接触层、键合层；4）提供一导电基板，通过所述键合层将所述发光外延层与所述导电基板粘结；5）减薄所述透光衬底；6）在所述透光衬底背面上定义N电极区域，该N电极区域与所述图形化过渡层对应，采用激光蚀刻所述N电极区域的透光衬底至预设深度；7）采用干法或湿法蚀刻，依次蚀刻所述N电极区域的剩余透光衬底、过渡层、缓冲层，直至露出n型导电层；8）在露出的n型导电层上制作n电极。
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