[发明专利]银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210093368.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623606A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：一衬底；一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；一P电极，制作在纳米薄膜上；一n电极，制作在外延层上的台面上。该方法具有工艺简单，操作方便，高效率等特点，同时还能够代替现有的ITO(氧化铟锡)作为LED新型的透明电极。本发明不但可以降低成本，同时还能实现大面积，工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 透明 电极 氮化 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管，其中包括：一衬底；一外延层，制作在衬底上面，该外延层为台阶状，其的一侧形成有一台面，该外延层用以受激，发光，电注入；一纳米薄膜，生长在外延层上，用于做电流扩展层；一二氧化硅层，制作在外延层和纳米薄膜靠近台面的一端，并覆盖部分纳米薄膜的上表面；一P电极，制作在纳米薄膜上；一n电极，制作在外延层上的台面上。
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