[发明专利]发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法

摘要

一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法，其是用以提升外部量子效率，半导体层之内包含有粗化面及两层散射层，两层散射层是以堆栈方式而形成于粗化面之上，两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面，且两层散射层所使用材料的折射系数为相异于彼此，利用散射层作为光的散射接口，使得自发光层放射的光子能藉由散射层的散射效应而转向，藉以提升光子逃逸出发光二极管之外的几率，如此可降低全反射发生的几率，藉以达成提升外部量子效率的目的。

主权项

一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层，其是用以提升外部量子效率，该发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层包含有一半导体层，其中本发明的特征在于：该半导体层之内进一步包含有一粗化面及至少两层散射层，该粗化面为不平整表面，该至少两层散射层是以堆栈方式而形成于该粗化面之上，该至少两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面，该至少两散射层的材料为一氮化物系基材，但该至少两层散射层的材料折射系数须为不同，亦即任两相邻的散射层的材料折射系数须为不同。