[发明专利]发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层，其是用以提升外部量子效率，该发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层包含有一半导体层，其中本发明的特征在于：该半导体层之内进一步包含有一粗化面及至少两层散射层，该粗化面为不平整表面，该至少两层散射层是以堆栈方式而形成于该粗化面之上，该至少两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面，该至少两散射层的材料为一氮化物系基材，但该至少两层散射层的材料折射系数须为不同，亦即任两相邻的散射层的材料折射系数须为不同。

2.如权利要求1所述的发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层，其特征在于，该半导体层的材料可以是一元素半导体或一化合物半导体的至少其中之一。

3.如权利要求1所述的发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层，其特征在于，该氮化物系基材包含氮化铝、氮化铟、氮化镓、氮化铬或氮化钛的至少其中之一。

4.一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：

在一基材上成长一半导体层的一部份，该半导体层的该部份的表面为一粗化面；

在该粗化面之上分层沉积堆栈至少两层散射层；以及

在该至少两层散射层之上完成该半导体层的另一部份的长成；

其中该至少两散射层的材料为一氮化物系基材，但该至少两层散射层的材料折射系数须为不同，亦即任两相邻的散射层的材料折射系数须为不同。

5.如权利要求4所述的发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层的制作方法，其特征在于，该基材包含一基板、一磊晶层、一金属层或一发光层的至少其中之一。

6.如权利要求4所述的发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层的制作方法，其特征在于，该半导体层可以是一元素半导体或一化合物半导体的至少其中之一。

7.如权利要求4所述的发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层的制作方法，其特征在于，该氮化物系基材包含氮化铝、氮化铟、氮化镓、氮化铬或氮化钛的至少其中之一。