[发明专利]一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210089128.0 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367579A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;刘欢;徐化勇 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件的电流阻挡层，其特征在于，其一种半导体发光器件的电流阻挡层，包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属或半导体材料；所述介质扩散区域的厚度为1-5nm。本发明主要通过在电流阻挡结构的半导体材料目标区域表面沉积一层薄金属材料或半导体材料，通过高温扩散半导体工艺，实现该区域材料的掺杂、表面状态改变，然后再其上做接触层以及器件工艺。方法简单工艺上容易实现批量生产，制备的电流阻挡层没有额外插入层，不会与欧姆接触区域出现空隙，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 电流 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件的电流阻挡层，其特征在于，其包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述的介质离子为金属或半导体材料；所述介质扩散区域的厚度为1‑5nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子有限公司，未经山东华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210089128.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
