[发明专利]等离子体氮化处理方法和装置、及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及选择性地形成氮化物膜的等离子体氮化处理方法、等离子体氮化处理装置以及半导体装置的制造方法。向处理容器(2)内供给含氮气体，将处理容器(2)内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在处理容器(2)内生成含氮等离子体，通过该含氮等离子体不使含硅的第2部分(100B)的表面(100Ba)氮化而选择性地氮化含有钨的第1部分(100A)的表面(100Aa)，在第1部分(100A)的表面(100Aa)形成氮化钨膜(107)。

主权项

一种等离子体氮化处理方法，其特征在于，将被处理体配置在处理容器内，对所述被处理体实施等离子体处理，其中所述被处理体是包括含金属的第1部分和含硅的第2部分且以使所述第1和第2部分的表面露出的方式形成的结构体，由此选择性地氮化所述第1部分的表面，在所述第1部分的表面选择性地形成金属氮化物膜，所述第1部分含有钨，向所述处理容器内供给含氮气体，将所述处理容器内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在所述处理容器内生成含氮等离子体，通过该含氮等离子体，不使所述第2部分的表面氮化而选择性地氮化所述第1部分的表面，在所述第1部分的表面形成氮化钨膜。