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[发明专利]旋压成型方法-CN201580059003.5有效
发明人：三上恒平;今村嘉秀;辻敏郎;壁义郎;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：一种在使板材旋转的同时使用加工工具将所述板材的成型对象区域成型为倾斜状的旋压成型方法，使所述加工工具在按压所述板材的同时从所述成型对象区域的内侧端向外侧端移动，在所述外侧端以约束所述加工工具的位置的状态使所述板材旋转。
加工工具成型对象旋压成型外侧端按压内侧端倾斜状成型移动

[发明专利]旋压成型装置-CN201580019717.3有效
发明人：三上恒平;今村嘉秀;坂根雄斗;壁义郎;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：旋压成型装置包括：使需要成型的板材旋转的旋转轴；朝向旋转轴的径向外方移动、同时按压板材的表面的加工工具；和以与加工工具位于同一圆周上的形式移动，并通过感应加热将板材局部加热的加热器。此外，旋压成型装置还包括冷却板材的表面的冷却装置。
成型装置

[发明专利]旋压成型方法-CN201580009496.1有效
发明人： 壁义郎;今村嘉秀;坂根雄斗;三上恒平;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：在旋压成型方法中，使用在周缘部（93）上设置有向厚度方向突出的环状的突起（95）的板材（9），在使板材旋转的同时，局部加热板材的变形对象部位，并且向变形对象部位按压加工工具以使板材变形。根据该结构，可以增大板材的周缘部的热容量。借助于此，加热板材的周缘部附近时，可以防止周缘部变成高温。其结果是，可以抑制板材的周缘部的变形。
成型方法

[发明专利]轴对称体以及轴对称产品的制造方法-CN201580032020.X在审
发明人：辻敏郎;壁义郎;今村嘉秀;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B23K26/342 文献下载
摘要：通过激光金属堆焊，在母材（2）的朝向径向外侧或径向内侧的周面上形成由多条焊道（35、36）形成的环状的初层（31），且所述初层（31）的宽度为所述焊道的宽度（35、36）的两倍以上，通过激光金属堆焊，在所述初层上层叠分别由多条焊道形成的多层环状的堆积层（32），从而能够将母材（2）中的热影响区抑制为非常小，并且能够制造具有宽度较宽的突缘部的轴对称体（5）。
轴对称以及产品制造方法

[发明专利]预成型体以及轴对称构件的制造方法-CN201580010572.0在审
发明人：今村嘉秀;坂根雄斗;三上恒平;壁义郎;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B21H1/00 文献下载
摘要：一种预成型体的制造方法，包括拉薄加工工序和增厚加工工序。拉薄加工工序中，使板材旋转的同时局部加热板材的变形对象部位，并向所述变形对象部位按压加工工具，使板材的规定范围成型为锥状。增厚加工工序中，使板材旋转的同时局部加热板材中作为锥状末端的周缘部，并以向正交于该周缘部的厚度方向的方向按入该周缘部的形式，向周缘部按压成型辊，使周缘部向内鼓胀。
成型以及轴对称构件制造方法

[发明专利]旋压成形装置-CN201580010554.2在审
发明人：坂根雄斗;今村嘉秀;三上恒平;壁义郎;岩崎勇人;北野博 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B21D22/14 文献下载
摘要：旋压成形装置（1）中，板材（9）通过旋转轴（21）旋转，板材的变形对象部位（92）被加工工具（10）推压的同时被执行诱导加热的加热器（4，5）进行局部加热。加热器包含二重圆弧状的线圈部，借助倾斜装置（7）而相对于从旋转轴向着加工工具的方向倾斜。在旋转轴的周方向上分布的多个测量点上，测量器（8）测量从线圈部到板材的外周侧原形部（93）的距离。控制装置以使线圈部和外周侧原形部的角度差在规定角度以内的形式根据测量器的测量结果控制倾斜装置（7）。
成形装置

[发明专利]等离子体氮化处理方法和装置、及半导体装置的制造方法-CN201210089062.5无效
发明人： 壁义郎;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明涉及选择性地形成氮化物膜的等离子体氮化处理方法、等离子体氮化处理装置以及半导体装置的制造方法。向处理容器(2)内供给含氮气体，将处理容器(2)内的压力设定在133Pa～1333Pa的范围内，在处理容器(2)内生成含氮等离子体，通过该含氮等离子体不使含硅的第2部分(100B)的表面(100Ba)氮化而选择性地氮化含有钨的第1部分(100A)的表面(100Aa)，在第1部分(100A)的表面(100Aa)形成氮化钨膜(107)。
等离子体氮化处理方法装置半导体制造

[发明专利]等离子体处理方法-CN201210093444.5无效
发明人： 壁义郎;小林岳志;米泽亮太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种将形成在基板上的沟槽侧面的氧化膜薄膜化且抑制沟槽上的图案上部的边角被侵蚀的等离子体处理方法。它是一种在热氧化膜60形成后用等离子体对形成有沟槽61的晶圆W进行氧化处理的等离子处理方法，在该方法中，晶圆W被放置在施加有离子引入用高频电压的基座上，用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的。等离子体氧化处理中的处理气体为含氦与氧的混合气体，等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。
等离子体处理方法

[发明专利]硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置-CN201180007026.3无效
发明人： 壁义郎;大田尾修一郎;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一边通过排气装置（24）对处理容器（1）内进行减压排气，一边从气体供给装置（18）的非活性气体供给源（19a）和含臭氧气体供给源（19b），通过气体导入部（15）将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含臭氧气体以规定的流量导入处理容器（1）内。将在微波产生装置（39）产生的规定频率例如2.45GHz的微波，从平面天线（31）经过透过板（28）放射到处理容器（1），对非活性气体和含臭氧气体进行等离子体化。通过该微波激励等离子体在晶片（W）表面形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，也可以从高频电源（44）向载置台（2）供给规定频率和功率的高频电力。
氧化形成方法等离子体处理装置

[发明专利]选择氧化处理方法、选择氧化处理装置和计算机可读取的存储介质-CN201080016865.7无效
发明人：中村秀雄;壁义郎;伊佐和裕;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：公开了在等离子体处理装置的处理容器内使氢气和含氧气体的等离子体对在表面上露出了硅和金属材料的被处理体发挥作用，用该等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理的选择氧化处理方法，该选择氧化处理方法包括：气体导入工序，其将经由第一供给路径的第一惰性气体作为运载气体，开始供给来自氢气供给源的上述氢气的时刻以后，将上述等离子体点火之前，将经由与上述第一供给路径不同的第二供给路径的第二惰性气体作为运载气体，开始供给来自含氧气体供给源的上述含氧气体；等离子体点火工序，其在上述处理容器内将包括上述含氧气体和上述氢气的处理气体的等离子体点火；和选择氧化处理工序，其用上述等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理。
选择氧化处理方法装置计算机读取存储介质

[发明专利]硅氧化膜的形成方法和装置-CN200980137392.3有效
发明人： 壁义郎;中村秀雄;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：硅氧化膜形成方法，在露出被处理体(W)的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器(1)内的载置台(2)上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的工序；和使等离子体与施加了偏压的被处理体作用来将硅氧化，形成硅氧化膜的工序。处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内。在形成硅氧化膜的工序中，处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力的输出，设定在对于被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。
氧化形成方法装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200980100872.2无效
发明人：中村秀雄;山下润;北川淳一;壁义郎;福田良则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200880109203.7无效
发明人：山下润;壁义郎;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：形成进行等离子体处理的处理空间(1)的金属制处理容器(2)；设置在处理空间(1)内，载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器(2)的侧壁，下端延伸到基板载置台(3)的被处理基板载置面的下方的石英制部件(4a)；设置在石英制部件(4a)的底面与金属制处理容器(2)的底壁(2b)之间，从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器2的底壁(2b)的环状石英制部件(6)；和从基板载置台(3)的外周附近向处理空间(1)导入处理气体的处理气体导入部。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及终点检测方法-CN200880019566.1无效
发明人： 壁义郎;太田欣也;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置(100)，其具备：在容器(1)内生成等离子体的等离子体生成机构、对向待处理体(晶片(W))移动的等离子体中的活性种的粒子数的累计值进行测量的测量部(60)、和当测量的累计值已达到设定值时进行控制以使等离子体处理结束的控制部(50)。测量部(60)从光源部(61)向等离子体照射规定的激光，由具备VUV单色光仪的检测部(63)接收，由此来测定活性种的粒子数。
等离子体处理装置方法以及终点检测

[发明专利]等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质-CN200880011183.X有效
发明人： 壁义郎;小林岳志;盐泽俊彦;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。
等离子体氧化处理方法装置以及存储介质

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