[发明专利]晶圆良率分析方法及系统有效
| 申请号： | 201210087749.5 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367188A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆良率分析方法，包括以下步骤：将各个芯片根据功能划分为多个功能区域；分别对各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；将一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。同时还提供一种晶圆良率分析系统。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆良率 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种晶圆良率分析方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上包括若干个芯片；将各个芯片根据功能划分为多个功能区域；分别对所述各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在所述芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；将所述一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
