[发明专利]晶圆良率分析方法及系统

权利要求书

1.一种晶圆良率分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆上包括若干个芯片；

将各个芯片根据功能划分为多个功能区域；

分别对所述各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在所述芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；

分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；

将所述一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；

通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。

2.根据权利要求1所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率的公式为：

KR＝(1-DDY/CDY)*100％

其中，KR为一个功能区域的致命缺陷率；DDY为污损合格芯片比率，具体为有污损的合格芯片数与有污损的芯片数的之比；CDY为无污损合格芯片比率，具体为无污损的合格芯片数与无污损的芯片数的之比。

3.根据权利要求1所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述由所述芯片整体的致命缺陷率估计出晶圆良率的公式为：

WY＝[1-(KR′*DDP)]*100％

其中，WY为晶圆良率；KR’为芯片整体的致命缺陷率；DDP为缺陷芯片比率，为有缺陷芯片与总芯片数的之比。

4.根据权利要求1所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述功能区域包括存储区域和逻辑器件区域。

5.根据权利要求4所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述芯片整体的致命缺陷率为存储区域的致命缺陷率。

6.根据权利要求1所述的晶圆良率分析方法，其特征在于，所述分别对各个芯片进行良率测试的步骤，是进行CP测试。

7.一种晶圆良率分析系统，其特征在于，包括：

划分模块，用于将一晶圆上各个芯片根据功能划分为多个功能区域；

表面检测模块，与划分模块相连接，用于分别对所述各个芯片进行表面检测，根据检测到的缺陷在所述芯片中的所属功能区域，得到一个或多个功能区域的缺陷信息；

良率测试模块，与表面检测模块相连接，用于分别对各个芯片进行良率测试，得到芯片良率信息；及

处理模块，与良率测试模块相连接，用于将所述一个或多个功能区域的缺陷信息与所述芯片良率信息进行比较分析，得到按芯片一个或多个功能区域划分的无污损的合格芯片，有污损的合格芯片，无污损的不合格芯片及有污损的不合格芯片的信息，并计算出芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率；通过芯片一个或多个功能区域的致命缺陷率得到芯片整体的致命缺陷率，并由所述芯片整体的致命缺陷率预测出晶圆良率。

8.根据权利要求7所述的晶圆良率分析系统，其特征在于，所述功能区域包括存储区域和逻辑器件区域。

9.根据权利要求8所述的晶圆良率分析系统，其特征在于，所述芯片整体的致命缺陷率为存储区域的致命缺陷率。