[发明专利]一种高压LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201210087191.0 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367610A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈万世 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LED芯片及其制备方法，所述芯片包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层，所述p型氮化物层上刻蚀有多个凹槽，所述凹槽的深度至n型氮化物层；所述凹槽底部的部分区域刻蚀有沟槽以形成间隔排列的微晶，所述沟槽的深度至衬底；所述沟槽及相邻微晶的侧壁上设有钝化层，所述微晶的p型氮化物层上形成有电流扩散层；所述钝化层上覆盖有连接凹槽底部与相邻微晶电流扩散层的导电层，所述电流扩散层上及相邻微晶之间覆盖有荧光粉层。本发明通过在高压LED芯片表面涂覆一层浓度及厚度均匀、表面平整的荧光粉层，保证了高压LED芯片出光的均匀性，提高了高压LED芯片的出光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LED芯片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层，其特征在于，所述p型氮化物层上刻蚀有多个凹槽，所述凹槽的深度至n型氮化物层；所述凹槽底部的部分区域刻蚀有沟槽以形成间隔排列的微晶，所述沟槽的深度至衬底；所述沟槽及相邻微晶的侧壁上设有钝化层，所述微晶的p型氮化物层上形成有电流扩散层；所述钝化层上覆盖有连接凹槽底部与相邻微晶电流扩散层的导电层，所述电流扩散层上及相邻微晶之间覆盖有荧光粉层。
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