[发明专利]一种高压LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层，其特征在于，所述p型氮化物层上刻蚀有多个凹槽，所述凹槽的深度至n型氮化物层；所述凹槽底部的部分区域刻蚀有沟槽以形成间隔排列的微晶，所述沟槽的深度至衬底；所述沟槽及相邻微晶的侧壁上设有钝化层，所述微晶的p型氮化物层上形成有电流扩散层；所述钝化层上覆盖有连接凹槽底部与相邻微晶电流扩散层的导电层，所述电流扩散层上及相邻微晶之间覆盖有荧光粉层。

2.如权利要求1所述的一种高压LED芯片，其特征在于，所述衬底的底部设有金属层。

3.如权利要求2所述的一种高压LED芯片，其特征在于，所述金属层的材料为Ag或Al。

4.如权利要求1所述的一种高压LED芯片，其特征在于，所述荧光粉层上设有保护层。

5.如权利要求1所述的一种高压LED芯片，其特征在于，所述钝化层的材料为SiO₂或SiN。

6.如权利要求1所述的一种高压LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或AlN衬底。

7.一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底，在衬底之上依次生长缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层；

在p型氮化物层上刻蚀多个凹槽，所述凹槽的深度至n型氮化物层；

在所述凹槽底部的部分区域刻蚀沟槽，所述沟槽的深度至衬底，由此形成间隔排列的微晶；

在所述沟槽及相邻微晶的侧壁上形成钝化层；

在所述微晶的p型氮化物层上形成电流扩散层；

形成用于连接凹槽底部与相邻微晶电流扩散层的导电层；

在芯片表面形成荧光粉层。

8.如权利要求7所述的一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述衬底的底部形成一金属层。

9.如权利要求7所述的一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：形成荧光粉层之前，在芯片表面涂覆一层增粘剂。

10.如权利要求7所述的一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在荧光粉层之上形成保护层。