[发明专利]存储器抑制电压稳压电路在审
| 申请号： | 201210085790.9 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102623061A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器抑制电压稳压电路，包括：第一运算放大器，第一运算放大器的同相输入端与第一基准电压源相连；第二运算放大器，第二运算放大器的同相输入端与稳压电路的输出端相连；第一NMOS晶体管，第一NMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端相连，漏极与电源相连；第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管的栅极与第二运算放大器的输出端相连，源极接地第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的源极、第一运算放大器的反相输入端、第二运算放大器的同相输入端相连并作为稳压电路的输出端。本发明的存储器抑制电压稳压电路能提供足够大的驱动电流，并且反应灵敏。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 抑制 电压 稳压 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器抑制电压稳压电路，其特征在于，包括：第一运算放大器，第一运算放大器的同相输入端与第一基准电压源相连，所述第一基准电压源用于提供第一基准电压，当同相输入端电压大于反相输入端电压时，第一运算放大器的输出端输出高电平；第二运算放大器，第二运算放大器的反相输入端与第二基准电压源相连，所述第二基准电压源用于提供第二基准电压，且第二基准电压大于第一基准电压，当同相输入端电压大于反相输入端电压时，第二运算放大器的输出端输出高电平；第一NMOS晶体管，第一NMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端相连，第一NMOS晶体管的漏极与工作电源相连；第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管的栅极与第二运算放大器的输出端相连，第二NMOS晶体管的源极接地，第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的源极、第一运算放大器的反相输入端、第二运算放大器的同相输入端相连并作为稳压电路的输出端。
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