[发明专利]存储器抑制电压稳压电路在审
申请号: | 201210085790.9 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN102623061A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 胡剑;杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 抑制 电压 稳压 电路 | ||
技术领域
本发明涉及存储器电路,特别涉及一种具有上拉和下拉功能的存储器抑制电压稳压电路。
背景技术
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备,它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符,例如英文字母、运算符号等,也要转换成二进制代码才能存储和操作。
存储器按存取方式可以分为随机存储器、串行访问存储器和只读存储器。
(1)随机存储器(Random Access Memory,RAM):如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间与存储单元的物理位置无关,则这种存储器称为随机存储器(RAM)。随机存储器主要用来存放各种输入/输出的程序、数据、中间运算结果以及存放与外界交换的信息和做堆栈用。随机存储器主要充当高速缓冲存储器和主存储器。
(2)串行访问存储器(Serial Attached SCSI,SAS):如果存储器只能按某种顺序来存取,也就是说,存取时间与存储单元的物理位置有关,则这种存储器称为串行访问存储器。串行存储器又可分为顺序存取存储器(Sequential Access Memory,SAM)和直接存取存储器(Direct Access Memory DAM)。顺序存取存储器是完全的串行访问存储器,如磁带,信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入(或读出);直接存取存储器是部分串行访问存储器,如磁盘存储器,它介于顺序存取和随机存取之间。
(3)只读存储器(Read-Only Memory,ROM):只读存储器是一种对其内容只能读不能写入的存储器,即预先一次写入的存储器。通常用来存放固定不变的信息。如经常用作微程序控制存储器。目前已有可重写的只读存储器。常见的有掩模只读存储器(Mask Read-Only Memory,MROM),可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory,EPROM),电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)ROM的电路比随机存储器的简单、集成度高,成本低,且是一种非易失性存储器,计算机常把一些管理、监控程序、成熟的用户程序放在只读存储器中。
现有的存储器通常是由行列排布的一个一个的存储单元构成的,每个存储单元连接有相应的字线和位线,在对存储器的一个目标存储单元进行编程时,字线控制相应的选择晶体管打开,从相应的位线输入编程电压,完成对目标存储单元的编程,在编程时,相邻存储单元的位线一般是浮空的,相邻存储单元的存储状态易受到目标存储单元编程电压的干扰,为了消除这种编程干扰,其中一种方法是在相邻存储单元的位线上施加1V左右的抑制电压以消除这种干扰。现有的1V抑制电压通过电压源和分压电路提供,由于多个相邻存储单元的位线的分流,现有的电压源和分压电路难以提供足够的驱动电流,编程干扰的消除效果有限。
更多关于存储器的介绍请参考公开号为CN1855307A的中国专利。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种具有上拉和下拉功能的存储器抑制电压稳压电路。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种存储器抑制电压稳压电路,包括:
第一运算放大器,第一运算放大器的同相输入端与第一基准电压源相连,所述第一基准电压源用于提供第一基准电压,当同相输入端电压大于反相输入端电压时,第一运算放大器的输出端输出高电平;
第二运算放大器,第二运算放大器的反相输入端与第二基准电压源相连,所述第二基准电压源用于提供第二基准电压,且第二基准电压大于第一基准电压,当同相输入端电压大于反相输入端电压时,第二运算放大器的输出端输出高电平;
第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端相连,第一NMOS晶体管的漏极与工作电源相连;
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