[发明专利]环状离子注入方法、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种环状离子注入方法，通过对衬底上的源极和漏极分别进行离子注入，并且漏极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角大于源极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角；使得漏极空间电荷区从沟道方向被压缩，从而使漏极与栅极的交叠面积也被压缩，从而减小了器件漏极与栅极之间的寄生交叠电容，减小了共源极放大器的密勒电容，提高了共源极放大器的频率响应特性。此外，虽然漏极空间电荷区得到压缩，但源极空间电荷区向沟道内延伸，所以器件的有效沟道长度基本保持不变，器件的其他性能得以保持。

主权项

一种环状离子注入方法，其特征在于，包括：对衬底进行环状离子注入，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；所述环状离子注入包括源极离子注入和漏极离子注入，所述漏极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角大于源极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角。