[发明专利]环状离子注入方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210081229.3 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623313A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环状 离子 注入 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种环状离子注入方法，其特征在于，包括：
对衬底进行环状离子注入，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
所述环状离子注入包括源极离子注入和漏极离子注入，所述漏极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角大于源极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角。
2.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
对所述衬底进行源漏轻掺杂，形成源极延伸区和漏极延伸区；
对所述衬底进行环状离子注入，形成漏极空间电荷区以及源极空间电荷区，所述环状离子注入包括源极离子注入和漏极离子注入，所述漏极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角大于源极离子注入方向与垂直于衬底表面方向夹角；
对所述衬底进行退火；
对所述衬底进行侧墙沉积，形成侧墙沉积层；
对所述侧墙沉积层进行刻蚀，形成栅极侧墙；以及
对所述衬底进行源漏重掺杂以及退火工艺。
3.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
形成于所述衬底上的栅极结构；
形成于所述源极区域的源极空间电荷区以及形成于漏极区域的漏极电荷区，所述源极空间电荷区的宽度大于所述漏极空间电荷区的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210081229.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
