[发明专利]肖特基位障二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210078022.0 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103325845A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄智方;杨宗谕;张庭辅;黄宗义;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种肖特基位障二极管(Schottky barrier diode，SBD)及其制造方法。SBD形成于基板上，包含：形成于基板上的氮化镓(gallium nitride，GaN)层；形成于GaN层上的氮化铝镓(aluminumgallium nitride，AlGaN)层；形成于AlGaN层上的高功函数导电层，且高功函数导电层与AlGaN层间，形成第一肖特基接触；形成于AlGaN层上的低功函数导电层，且低功函数导电层与AlGaN层间，形成第二肖特基接触；以及形成于AlGaN层上的欧姆接触导电层，并与AlGaN层间，形成欧姆接触，且欧姆接触导电层与高功函数导电层及低功函数导电层间，由绝缘层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基位障 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基位障二极管，形成于一基板上，其特征在于，包含：一氮化镓层，形成于该基板的一上表面上；一氮化铝镓层，形成于该氮化镓层上，且该氮化镓层与该氮化铝镓层形成该肖特基位障二极管的一阴极；一高功函数导电层，形成于该氮化铝镓层上，且该高功函数导电层与该氮化铝镓层间，形成一第一肖特基接触；一低功函数导电层，形成于该氮化铝镓层上，且该低功函数导电层与该氮化铝镓层间，形成一第二肖特基接触，该低功函数导电层的功函数低于该高功函数金属层的功函数，且该高功函数导电层与该低功函数导电层电连接，形成该肖特基位障二极管的阳极；以及一欧姆接触金属层，形成于该氮化铝镓层上，并与该氮化铝镓层间，形成一欧姆接触，且该欧姆接触金属层与该高功函数导电层及该低功函数导电层间，由一绝缘层隔开。
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