[发明专利]一种制备浮栅的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备浮栅的方法。本发明提出一种制备浮栅的方法，通过采用在硅衬底上依次沉积栅氧化层、浮栅、氮化硅以后，蚀刻氮化硅、浮栅层、氧化层，并停在硅衬底上，去除光阻后，采用低温原子层沉积（ALD）法沉积一层氧化层，然后以前面工艺形成的图案作为阻挡层继续蚀刻硅衬底，由于采用大于50：1的刻蚀选择比使得所用的蚀刻工艺具有各向异性，在浮栅的侧壁形成氧化硅保护膜，使得在后续的高温工艺之后浮栅下面的氧化层厚度是均匀的，从而有效地保证了器件编程的性能。

主权项

一种制备浮栅的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一衬底上依次沉积栅氧化物层、浮栅和氮化硅层，所述栅氧化物层覆盖衬底的上表面，所述浮栅覆盖所述栅氧化物层的上表面，所述氮化硅层覆盖所述浮栅的上表面；步骤S2：采用光刻工艺，在所述氮化硅层的上表面形成光阻，并以该光阻为掩膜依次刻蚀所述氮化硅层、浮栅和栅氧化物层至硅衬底；步骤S3：去除所述光阻后，形成凹槽，并沉积氧化硅层覆盖剩余氮化硅层上表面和所述凹槽的底部及其侧壁；步骤S4：继续刻蚀工艺刻蚀所述硅衬底，形成STI后，并依次进行高温氧化热退火工艺和填充工艺。