[发明专利]一种制备浮栅的方法无效
| 申请号： | 201210077723.2 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102623319A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
1.一种制备浮栅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一衬底上依次沉积栅氧化物层、浮栅和氮化硅层，所述栅氧化物层覆盖衬底的上表面，所述浮栅覆盖所述栅氧化物层的上表面，所述氮化硅层覆盖所述浮栅的上表面；
步骤S2：采用光刻工艺，在所述氮化硅层的上表面形成光阻，并以该光阻为掩膜依次刻蚀所述氮化硅层、浮栅和栅氧化物层至硅衬底；
步骤S3：去除所述光阻后，形成凹槽，并沉积氧化硅层覆盖剩余氮化硅层上表面和所述凹槽的底部及其侧壁；
步骤S4：继续刻蚀工艺刻蚀所述硅衬底，形成STI后，并依次进行高温氧化热退火工艺和填充工艺。
2.根据权利要求1所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述步骤S3中采用低温原子沉积工艺沉积所述氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述低温原子沉积工艺的温度为300~500℃，所述氧化硅层的厚度为100~500A。
4.根据权利要求3所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述步骤S4中刻蚀所述硅衬底的刻蚀选择比大于50:1。
5.根据权利要求4所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述填充工艺为高密度等离子体填充工艺或高深宽比填充工艺。
6.根据权利要求5所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述高密度等离子体填充工艺的填充物为氧化硅。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述栅氧化物层的厚度为90~110A。
8.根据权利要求7所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述浮栅的高度为200~600A。
9.根据权利要求8所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述浮栅的掺杂度为5E19~5E20/cm2。
10.根据权利要求9所述的制备浮栅的方法，其特征在于，所述高温氧化热退火工艺的温度为950~1200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
