[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210071923.7 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683427A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西井昭人;中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是得到下述半导体器件，即能够与P型阳极层的杂质浓度无关地保持耐压，同时能够利用P型阳极层的杂质浓度控制导通电压，由此不进行寿命控制就能够控制导通电压与恢复损耗的折衷选择性，而且能够抑制阶跃现象。解决手段是，在N-型漂移层(1)上设置P型阳极层(2)。贯通P型阳极层地设置沟槽(3)。在沟槽(3)内隔着绝缘膜(4)埋入导电性物质(5)。N-型漂移层(1)与P型阳极层(2)之间设置N型缓冲层(6)。N型缓冲层(6)具有比N-型漂移层(1)更高的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：N型漂移层；在所述N型漂移层上设置的P型阳极层；贯通所述P型阳极层的沟槽；隔着绝缘膜埋入到所述沟槽内的导电性物质；以及设置于所述N型漂移层与所述P型阳极层之间，具有比所述N型漂移层高的杂质浓度的N型缓冲层。
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