[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210071923.7 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683427A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西井昭人;中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：
N型漂移层；
在所述N型漂移层上设置的P型阳极层；
贯通所述P型阳极层的沟槽；
隔着绝缘膜埋入到所述沟槽内的导电性物质；以及
设置于所述N型漂移层与所述P型阳极层之间，具有比所述N型漂移层高的杂质浓度的N型缓冲层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
使所述沟槽的宽度在1.2μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
使所述N型缓冲层的杂质浓度在1×1017cm-3以下。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：
在N型漂移层的上表面形成P型阳极层的工序；
在所述N型漂移层的下表面的第1区域有选择地形成N+型阴极层的工序；以及
在与所述N型漂移层的下表面的所述第1区域不同的第2区域有选择地形成P型阴极层的工序。
5.一种半导体器件，其特征在于，具备：
N型漂移层；
在所述N型漂移层上的一部分上设置的P型阳极层；
连接于所述P型阳极层的阳极电极；以及
设置于P型阳极层的外端部与所述阳极电极之间的绝缘膜，
所述P型阳极层的外端与所述绝缘膜的内端之间的长度为100μm以上。
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