[发明专利]IGBT串联型高压脉冲发生器有效
| 申请号： | 201210070008.6 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102611413A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王剑平;余琳;黄康;江婷婷;王海军;盖玲 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H03K3/013 | 分类号： | H03K3/013;H03K3/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT串联型高压脉冲发生器。该高压脉冲发生器由高压电源提供电压，经储能电容储能后通过多级IGBT串联电路产生高压脉冲。PLC产生PWM控制脉冲，经PWM放大电路后输入光纤隔离电路，进而驱动IGBT串联电路，IGBT串联电路工作所需的电源由与其相连的隔离电源次级电路提供。市电经整流电路、滤波电路后变成直流电，再由经功率MOSFET驱动电路所驱动的高频功率MOSFET全桥逆变电路变成高频方波，高频方波经串联磁环电路隔离后输入隔离电源次级电路。当IGBT串联电路出现故障时，故障信号经故障输出电路、光纤反馈电路后输入PLC，PLC即中断控制信号，使IGBT串联电路处于关断状态，进而保护整个系统。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 串联 高压 脉冲 发生器 | ||
【主权项】：
一种IGBT串联型高压脉冲发生器，其特征在于：包括高压电源、储能电容、PLC、整流电路（1）、滤波电路（2）、高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）、功率MOSFET驱动电路（4）、串联磁环隔离电路（5）、16路相互独立的隔离电源次级电路（6）、16路相互串联的IGBT串联电路（7）、光纤隔离电路（8）、PWM放大电路（9）、16路相互独立的故障输出电路（10）和光纤反馈电路（11）；高压电源提供的电压，经储能电容储能后通过16路相互串联的IGBT串联电路（7）产生高压脉冲；PLC产生PWM控制脉冲，依次接PWM放大电路（9）、光纤隔离电路（8）、16路相互串联的IGBT串联电路（7）；市电经整流电路（1）、滤波电路（2）后变成直流电，再依次接高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）、串联磁环电路（5）、16路独立的隔离电源次级电路（6）、16路相互串联的IGBT串联电路（7）；功率MOSFET驱动电路（4）与高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）相连；16路相互串联的IGBT串联电路（7）输出的故障信号依次由16路独立的故障输出电路（10）、光纤反馈电路（11）输入PLC。
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