[发明专利]一种利用锡须生长填充微孔的方法有效
| 申请号： | 201210068633.7 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102623393A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;徐春林;师帅;方靖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 须生 填充 微孔 方法 | ||
【主权项】：
一种利用锡须生长填充盲孔的方法，包括以下步骤：(1)在基片上加工有盲孔的表面依次沉积粘附层和金属层；(2)在金属层表面盲孔以外的部分旋涂光刻胶；(3)在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；(4)在盲孔表面以及相邻盲孔之间旋涂光刻胶；(5)腐蚀掉步骤(4)旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成连通盲孔的金属互连线；(6)将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210068633.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
