[发明专利]一种利用锡须生长填充微孔的方法有效
| 申请号： | 201210068633.7 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102623393A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;徐春林;师帅;方靖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 须生 填充 微孔 方法 | ||
1.一种利用锡须生长填充盲孔的方法，包括以下步骤：
(1)在基片上加工有盲孔的表面依次沉积粘附层和金属层；
(2)在金属层表面盲孔以外的部分旋涂光刻胶；
(3)在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；
(4)在盲孔表面以及相邻盲孔之间旋涂光刻胶；
(5)腐蚀掉步骤(4)旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成连通盲孔的金属互连线；
(6)将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞。
2.根据权利要求1所述的利用锡须生长填充盲孔的方法，其特征在于，在所述步骤(6)通电前还在基片表面旋涂一层厚胶或Ni层。
3.根据权利要求1所述的利用锡须生长填充盲孔的方法，其特征在于，在所述步骤(6)通电前还将基片置于加热装置内，利用加热装置使基片升温至盲孔内的金属容易生长晶须的温度后，再对金属互连线保温通电。
4.根据权利要求1所述的利用锡须生长填充盲孔的方法，其特征在于，还包括步骤(7)利用光刻和腐蚀工艺去除盲孔以外的金属层。
5.根据权利要求1所述的利用锡须生长填盲孔的方法，其特征在于，所述盲孔内沉积的金属为Cd、Sn、Zn、Al或Ag中的任意一种。
6.一种利用锡须生长填充通孔的方法，包括以下步骤：
(I)依次在基片上加工有通孔的表面沉积粘附层和金属层；
(II)在通孔表面以及相邻通孔之间旋涂光刻胶；
(III)腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成连通通孔的金属互连线；
(IV)将金属互连线的两端接电极，通电，促使金属层晶须加速生长至填满通孔。
7.根据权利要求6所述的利用锡须生长填充通孔的方法，其特征在于，在所述步骤(IV)通电前还在基片表面旋涂一层厚胶或Ni层。
8.根据权利要求6所述的利用锡须生长填充通孔的方法，其特征在于，在所述步骤(IV)通电前还将基片置于加热装置内，利用加热装置使基片升温至金属层容易生长晶须的温度后，再对金属互连线保温通电。
9.根据权利要求1所述的利用锡须生长填充通孔的方法，其特征在于，还包括步骤(V)利用光刻和腐蚀工艺去除通孔以外的金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210068633.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
