[发明专利]具有低温除氧的金属栅极器件有效
| 申请号： | 201210065959.4 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103021862A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有金属栅极的半导体器件。器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的源极部件和漏极部件，以及位于半导体衬底上方并且设置在源极部件和漏极部件之间的栅叠层。栅叠层包括：界面层(IL)，形成在半导体衬底上方的高k(HK)介电层，形成在HK介电层顶部的除氧金属，通过使用低温除氧技术形成的改变的等效氧化层厚度(EOT)以及沉积在除氧金属层上方的金属栅叠层。本发明还提供了一种具有低温除氧的金属栅极器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低温 金属 栅极 器件 | ||
【主权项】：
一种形成具有金属栅叠层的半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方沉积界面层(IL)；在所述IL上方沉积高k(HK)介电层；通过使用低温除氧技术在所述HK介电层上方沉积除氧金属层来改变等效氧化层厚度(EOT)；以及在所述除氧金属层上方沉积金属栅叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
