[发明专利]金属有机气相沉积装置

摘要

一种金属有机气相沉积装置，包括：反应腔；位于所述反应腔底部的基座；位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，所述中心进气装置将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述外围进气装置将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，所述第一气体和第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，所述第一气体和第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体分别具有第一流量比和第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。所述金属有机气相沉积装置能够提高薄膜的均匀性及形成速率。

主权项

一种金属有机气相沉积装置，其特征在于，包括：用于进行金属有机气相沉积的反应腔；位于所述反应腔底部的基座，所述基座用于承载待沉积基底；位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件用于将反应气体分配至所述反应腔内，所述喷淋组件包括中心进气装置和包围所述中心进气装置的外围进气装置，其中，所述中心进气装置用于将第一气体以第一通量分配至中心进气装置与基座之间的区域，所述第一气体为III族金属有机源气体、V族氢化物源气体和载气，其中，所述第一气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第一流量比，所述外围进气装置用于将第二气体以第二通量分配至所述反应腔的外围区域，从而减弱第一气体分配的热对流涡旋，所述第二气体为载气、III族金属有机源气体和V族氢化物源气体，其中，所述第二气体中的III族金属有机源气体和V族氢化物源气体具有第二流量比，且所述第二流量比与第一流量比不同。