[发明专利]横向扩散金属氧化半导体元件有效
| 申请号： | 201210064850.9 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103208520B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林安宏;林宏泽;黄柏睿;廖伟善;颜挺洲;周昆宜;陈纯伟;简明勇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种横向扩散金属氧化半导体元件，其包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一栅极结构以及一接触金属。第一掺杂区与第三掺杂区具有一第一导电类型，且第二掺杂区具有一第二导电类型。第二掺杂区设于第一掺杂区中，且具有一操场跑道形轮廓，并具有一长轴。第三掺杂区设于第二掺杂区中。栅极结构设于第三掺杂区一侧的第一掺杂区与第二掺杂区上。接触金属设于第二掺杂区沿着长轴延伸出的一侧的第一掺杂区上，并与第一掺杂区相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化半导体元件，包括：基底；第一掺杂区，设于该基底中，且具有第一导电类型；第二掺杂区，设于该第一掺杂区中，且具有一第二导电类型，其中该第二掺杂区具有操场跑道形(racetrack)轮廓，且该第二掺杂区具有长轴与短轴；第三掺杂区，设于该第二掺杂区中，且具有该第一导电类型；第四掺杂区，设于该第一掺杂区中，且具有该第一导电类型；栅极结构，设于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该第一掺杂区与该第二掺杂区上；以及接触金属，设于该第二掺杂区沿着该长轴延伸出的一侧的该第一掺杂区上，并与该第一掺杂区相接触，其中该接触金属电性连接至该第三掺杂区。
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