[发明专利]横向扩散金属氧化半导体元件

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化半导体元件，包括：

基底；

第一掺杂区，设于该基底中，且具有第一导电类型；

第二掺杂区，设于该第一掺杂区中，且具有一第二导电类型，其中该第二掺杂区具有操场跑道形(racetrack)轮廓，且该第二掺杂区具有长轴与短轴；

第三掺杂区，设于该第二掺杂区中，且具有该第一导电类型；

第四掺杂区，设于该第一掺杂区中，且具有该第一导电类型；

栅极结构，设于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该第一掺杂区与该第二掺杂区上；以及

接触金属，设于该第二掺杂区沿着该长轴延伸出的一侧的该第一掺杂区上，并与该第一掺杂区相接触，其中该接触金属电性连接至该第三掺杂区。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，其中该第四掺杂区位于该第二掺杂区沿着该短轴延伸出的一侧的该第一掺杂区中。

3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化半导体元件，其中该第二掺杂区具有直道部，位于该短轴的一端，且该第四掺杂区在平行该长轴的一方向上的宽度大于或等于该直道部在该方向上的宽度。

4.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化半导体元件，其中该第三掺杂区电连接至一低压端，且该第四掺杂区电连接至一高压端。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括第五掺杂区，设于该接触金属下的该第一掺杂区中，并与该接触金属相接触，其中该第五掺杂区具有该第二导电类型。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，其中该接触金属具有至少一延伸部，朝该第二掺杂区沿着该短轴延伸出的一侧延伸出。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括多个第六掺杂区，设于该第三掺杂区中，并贯穿该第三掺杂区而与该第二掺杂区相接触，且该多个第六掺杂区具有该第二导电类型。

8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括护环，设于该基底中，并围绕该第一掺杂区。

9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括另一接触金属，设于该第二掺杂区沿着该长轴延伸出的另一侧的该第一掺杂区上，并与该第一掺杂区相接触。

10.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件，其中该栅极结构围绕该第三掺杂区。

11.一种横向扩散金属氧化半导体元件，包括：

两个萧特基二极管，彼此平行设置，且平行于一方向，其中各该萧特基二极管包括一狭长形接触金属，沿着该方向延伸；以及

多个横向扩散金属氧化半导体单元，设于该两个萧特基二极管之间，且该多个横向扩散金属氧化半导体单元沿着该方向排列。

12.如权利要求11所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括护环，围绕该两个萧特基二极管与该多个横向扩散金属氧化半导体单元。

13.如权利要求11所述的横向扩散金属氧化半导体元件，另包括多个掺杂区，且各该掺杂区与各该横向扩散金属氧化半导体单元依序沿着该方向交替排列。