[发明专利]基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210064272.9 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102611406A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 陈希明;阴聚乾 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/25;H03H9/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加构成，形成IDT/c-AlN/a-AlN/金刚石多层膜结构；其制备方法是：1）采用微波等离子体化学气相淀积（MPCVD）方法制备纳米金刚石衬底；2）采用射频溅射法制备AlN压电薄膜；3）采用电子束蒸发法制备叉指换能器IDT。本发明的优点是：该高频声表面波器件频率高、机电耦合系数高，能满足高频率和大功率移动通信的要求；该制备方法所用设备简单、工艺条件方便易行，有利于大规模的推广应用，具有重大的生产实践意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 aln 双晶 压电 薄膜 表面波 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，其特征在于：由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器(IDT)依次叠加构成，形成IDT/c‑AlN/a‑AlN/金刚石多层膜结构。
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