[发明专利]微机电系统压力传感器的制作方法有效
| 申请号： | 201210061933.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102539033A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微机电系统压力传感器的制作方法，步骤如下：提供一衬底，所述衬底内具有互连结构；在衬底上沉积第一介质层；刻蚀第一介质层形成压力腔开口，在压力腔开口内填充牺牲层；刻蚀第一介质层，形成用于连通互连结构的开口；在上述结构表面依次沉积感应层和硬掩膜；刻蚀第一介质层上的硬掩膜和感应层，形成敏感电阻图形；刻蚀牺牲层上的硬掩膜和感应层，形成多个释放口；通过释放口去除牺牲层；采用旋涂玻璃工艺在上述结构表面形成二氧化硅，在衬底和二氧化硅之间形成空腔；在二氧化硅上沉积第二介质层。本发明采用旋涂玻璃工艺，在常温下形成空腔，所述空腔内的气压高，从而得到好的线性度和大的测量范围的微机电系统压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 压力传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有互连结构；在衬底上沉积第一介质层；刻蚀第一介质层形成压力腔开口，在压力腔开口内填充牺牲层；刻蚀第一介质层，形成用于连通互连结构的开口；在上述结构表面沉积感应层，使所述开口中填满感应层；在感应层上沉积硬掩膜；刻蚀第一介质层上的硬掩膜和感应层，形成敏感电阻图形；刻蚀牺牲层上的硬掩膜和感应层，形成多个释放口；通过释放口去除牺牲层；采用旋涂玻璃工艺在上述结构表面形成二氧化硅，在衬底和二氧化硅之间形成空腔；在二氧化硅上沉积第二介质层。
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