[发明专利]一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法有效
申请号: | 201210061392.3 | 申请日: | 2012-03-10 |
公开(公告)号: | CN102603273A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 张海霞;车永军;任雷 | 申请(专利权)人: | 锦州晶城新能源材料制造有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622;C30B29/20 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法,以高纯氧化铝为原料用造粒机制备氧化铝颗粒,放入盛料坩埚里,通过高频等离子加热装置对氧化铝颗粒烧结,得到高纯氧化铝烧结体。其优点是:高纯氧化铝在造粒、烧结过程中不引入其他杂质,不需添加粘结剂,避免了二次污染;采用高频等离子加热装置,设备成本低,生产效率高,避免了炉体的保温材料和发热材料的挥发物对氧化铝的污染;制得氧化铝烧结体堆积密度为3.7g/cm3~4.1g/cm3,纯度为99.999%~99.9999%,为泡生法生长蓝宝石单晶提供原料,可得到高品质和低缺陷密度的蓝宝石晶体。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 蓝宝石 生长 高纯 氧化铝 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法,其特征是:1.1高纯氧化铝造粒以高纯氧化铝为原料,所述的高纯氧化铝纯度≥99.999%,杂质的含量Fe<0.0006%、Si<0.0005%、Zr<0.0001%、Cu<0.0001%、K<0.0001%、Na<0.0001%;用造粒机制备粒径为1mm~6mm,密度为2.0g/cm3~3.0g/cm3的氧化铝颗粒,所述的造粒机与原料接触部件均采用99.99%的氧化铝烧结陶瓷结构或钢芯外涂覆99.99%氧化铝涂层结构;1.2氧化铝颗粒烧结用99.99%的氧化铝烧结的陶瓷坩埚或涂覆99.99%氧化铝涂层的坩埚作为盛料坩埚,将制得的氧化铝颗粒放入盛料坩埚里,通过高频等离子加热装置使坩埚中的氧化铝颗粒升温至1850℃~2100℃对氧化铝颗粒烧结,烧结时间为30min~50min,停止加热,坩埚自然冷却,得到纯度为99.999%~99.9999%高纯氧化铝烧结体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锦州晶城新能源材料制造有限公司,未经锦州晶城新能源材料制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210061392.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。