[发明专利]一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法

权利要求书

1.一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：

1.1高纯氧化铝造粒

以高纯氧化铝为原料，所述的高纯氧化铝纯度≥99.999%，杂质的含量Fe＜0.0006%、Si＜0.0005%、Zr＜0.0001%、Cu＜0.0001%、K＜0.0001%、Na＜0.0001%；用造粒机制备粒径为1mm～6mm，密度为2.0g/cm³～3.0g/cm³的氧化铝颗粒，所述的造粒机与原料接触部件均采用99.99%的氧化铝烧结陶瓷结构或钢芯外涂覆99.99%氧化铝涂层结构；

1.2氧化铝颗粒烧结

用99.99%的氧化铝烧结的陶瓷坩埚或涂覆99.99%氧化铝涂层的坩埚作为盛料坩埚，将制得的氧化铝颗粒放入盛料坩埚里，通过高频等离子加热装置使坩埚中的氧化铝颗粒升温至1850℃～2100℃对氧化铝颗粒烧结，烧结时间为30min～50min，停止加热，坩埚自然冷却，得到纯度为99.999%～99.9999%高纯氧化铝烧结体。

2.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：所述的高纯氧化铝造粒和氧化铝颗粒烧结是在清洁等级1000以上的无尘车间进行的，以保证生产过程中不引入其他杂质。

3.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：所述的盛料坩埚放置在水冷铜坩埚内，所述的水冷铜坩埚上方装有高频等离子加热装置的铜线圈。

4.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：所述的水冷铜坩埚的直径为20cm～45cm，高度为50cm～80cm，由30～65个分瓣组成，分瓣分为2～4个区域。

5.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：所述高频等离子加热装置的铜线圈材质为紫铜，铜线圈的匝数为1匝～3匝。

6.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：在烧结过程中，用电导率在1.5μS/cm以下的去离子水冷却铜线圈。

7.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：所述高频等离子加热装置的高频电源频率为600KHz～800KHz，最大功率为40kw～45kw。

8.根据权利要求1所述的用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，其特征是：原料周转采用聚乙烯塑料袋包装，防止在周转过程中受到包装物和外界的污染。