[发明专利]功率用半导体装置有效
| 申请号： | 201210060051.4 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102694032A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小林政和 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率用半导体装置，具备：第1导电类型的第1半导体层(1)、第1导电类型的第2半导体层(2)、第2导电类型的第3半导体层(3)、第2导电类型的第4半导体层(4)、第1主电极(5)及第2主电极(6)。第2半导体层(2)设置在第1半导体层(1)上，第3半导体层(3)选择性地设置于第2半导体层(2)的表面。第4半导体层(4)选择性地设置于第3半导体层(3)的表面，具有比第3半导体层(3)的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度。第3半导体层(3)具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与第4半导体层(4)的底面邻接并与第2半导体层(2)有间隔，被处理为使载流子寿命变短。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的第1半导体层；第1导电类型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，并具有比所述第1半导体层的第1导电类型杂质的浓度低的第1导电类型杂质的浓度；第2导电类型的第3半导体层，设置于所述第2半导体层的与所述第1半导体层相反侧的表面；第2导电类型的第4半导体层，选择性地设置于所述第3半导体层的与所述第1半导体层相反侧的表面，并具有比所述第3半导体层的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度；第1主电极，电连接到所述第1半导体层；以及第2主电极，电连接到所述第4半导体层，其中，所述第3半导体层具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与所述第4半导体层的所述第1半导体层侧的底面邻接，并与所述第2半导体层有间隔，被处理为使载流子寿命变短。
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