[发明专利]一种制作铜互连结构的方法无效
| 申请号： | 201210058770.2 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311174A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作铜互连结构的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有沟槽的层间介电层；形成覆盖所述沟槽的底部和侧壁的阻挡晶种层；采用电化学镀方法在所述沟槽的剩余部分内填充金属铜，以形成所述铜互连结构，其中，在填充所述金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射所述阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射。本发明在填充金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射，可以使阻挡晶种层或金属铜层的表面平整，进而避免在后续形成的金属互连结构中存在有不期望得到的空隙，以提高器件的稳定性和生产的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作铜互连结构的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有沟槽的层间介电层；形成覆盖所述沟槽的底部和侧壁的阻挡晶种层；采用电化学镀方法在所述沟槽的剩余部分内填充金属铜，以形成所述铜互连结构，其中，在填充所述金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射所述阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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