[发明专利]一种制作铜互连结构的方法无效
| 申请号： | 201210058770.2 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311174A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 互连 结构 方法 | ||
1.一种制作铜互连结构的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有沟槽的层间介电层；
形成覆盖所述沟槽的底部和侧壁的阻挡晶种层；
采用电化学镀方法在所述沟槽的剩余部分内填充金属铜，以形成所述铜互连结构，
其中，在填充所述金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射所述阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电磁波包括波长大于1微米的红外激光和/或微波。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述红外激光是由CO2激光器或YAG激光器提供的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用电磁波在填充所述金属铜之前照射所述阻挡晶种层时，所述电磁波的照射深度小于所述阻挡晶种层的最小厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用电磁波在填充一部分金属铜之后照射所述金属铜层时，所述电磁波的照射深度小于在所述金属铜层的最小厚度。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述电磁波的照射深度是通过控制电磁波源的照射能量、照射时间和/或占空比来控制的。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡晶种层是由TaN、Ta、Ru、Mn和Mo中的一种或多种形成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述铜互连结构之后还包括再次采用电磁波照射的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述铜互连结构之后还包括执行退火处理的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述铜互连结构之后还包括去除所述铜互连结构周围的所述层间介电层，并重新形成层间介电层的步骤。
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