[发明专利]一种发光二极管外延结构无效
| 申请号： | 201210058190.3 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103078019A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、嵌入多量子阱层中的分隔层或延伸至多量子阱层中的n型氮化镓层、以及p型氮化镓层，其中，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与嵌入的分隔层或延伸至其中的n型氮化镓层接触。采用本发明提出的发光二极管外延结构，能够有效地降低量子阱由于晶格失配和热失配所导致的应力，提高外延层的晶体质量，并可形成量子点，以提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层和p型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱。
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