[发明专利]一种发光二极管外延结构

权利要求书

1.一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层和p型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，在所述多量子阱层中嵌入分隔层，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与分隔层接触。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述n型氮化镓层延伸至多量子阱层中，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与延伸至其中的n型氮化镓层接触。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述多量子阱层包括i层交替接触的量子阱与量子垒，其中1≤i≤100。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述量子阱的组成为Al_yIn_xGa_1-x-yN（0＜x≤1，0≤y＜1, 0≤x+y＜1）,所述量子垒的组成为Al_aIn_bGa_1-a-bN（0≤a＜1，0≤b＜1, 0≤a+b＜1）。

6.根据权利要求1至3所述的发光二极管外延结构，其特征在于，所述过渡层的组成为Al_y1In_x1Ga_1-x1-y1N（0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤x1+y1＜1）；所述分隔层的组成为Al_aIn_bGa_1-a-bN（0≤a＜1，0≤b＜1, 0≤a+b＜1）；所述u型氮化镓层为未掺杂Al_y2In_x2Ga_1-x2-y2N（0≤x2＜1，0≤y2＜1，0≤x2+y2＜1）的半导体层；所述n型氮化镓层为n型掺杂Al_y3In_x3Ga_1-x3-y3N（0≤x3＜1，0≤y3＜1，0≤x3+y3＜1）的半导体层，掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³～5×10²²/cm³；所述p型氮化镓层为p型掺杂Al_y4In_x4Ga_1-x4-y4N（0≤x4≤1，0≤y4≤1，0≤x4+y4＜1）的半导体层，掺杂元素为Be、Mg，掺杂浓度为5×10¹⁷/cm³～9×10²³/cm³。